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安建半导体推出1200V-17mΩ SiC MOSFET
- 发布日期:2024-01-21 07:54 点击次数:157
产品介绍
安建半导体推出具有完全自主知识产权的1200V-17mΩ SiC MOSFET,通过独特设计确保产品的卓越性能和可靠性,在国内领先的碳化硅晶圆代工厂流片,产能充裕,供应稳定,性价比高。
产品特点
● 开关速度快
●栅极电荷低
● 雪崩耐量高
● 短路能力强
● 可靠性高
应用领域
● 电动汽车
● 太阳能逆变器
● 储能系统
● 不间断电源
产品性能
安建半导体对此款自研SiC MOSFET产品做了动静态、短路、雪崩耐量(UIS), EEPROM带电可擦可编程存储器芯片大全可靠性等测试, 电子元器件PDF资料大全性能参数与国际竞品相当。雪崩耐量为国际知名品牌同规格产品的200%, ATMEGA系列ATMEL芯片COMATMEGA系列-ATMEL芯片在短路时间3us下可安全关断800A电流。此外, 芯片交易网IC交易网该款芯片已通过1000h可靠性考核。
静态输出特性:
开关波形:
UIS波形:
安建半导体1200V-17mΩ SiC MOSFET具备如下优异性能:
● 通过设计上的优化,CMOS图像传感器集成电路芯片确保具有稳定的击穿特性,增强UIS能力。
● 在短路时间3us下安全关断800A电流。
● 已通过国际最高标准的1000小时HTRB、HTGB、HV-H3TRB等可靠性考核。
安建半导体即将推出兼容国际一线品牌封装的SiC模块,敬请期待!
安建半导体致力于为客户提供国际一流、国内领先的功率半导体器件,如需样品,欢迎与我们联系。
审核编辑:汤梓红
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